PSMB033N10NS2_R2_00201

Name: Panjit PSMB033N10NS2_R2_00201
Brand: Panjit
SKU: 241-PSMB033N10NS2R22
Price: 764 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

241-PSMB033N10NS2R22

メーカ番号：

PSMB033N10NS2_R2_00201

メーカ：

Panjit

詳細：

MOSFET 100V/ 3.3mohms / TO-263AB for Industrail market

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PSMB033N10NS2_R2_00201 データシート (PDF)

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パッケージング:

完全リール（800の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥764.8	¥765
	¥505.6	¥5,056
	¥395.2	¥39,520
	¥352	¥176,000
完全リール（800の倍数で注文）
	¥299.2	¥239,360
	¥281.6	¥675,840

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Panjit
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-263AB-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	100 V
Id - 連続ドレイン電流:	219 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	3.3 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3.8 V
Qg - ゲート電荷:	65 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	333 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Panjit
構成:	Single
下降時間:	4.9 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	4.9 ns
シリーズ:	PSM
工場パックの数量:	800
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	24.7 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	15.5 ns
単位重量:	1.400 g

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データシート

PSMB033N10NS2_R2_00201 データシート (PDF)

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

PSMB033N10NS2 100V N-Channel MOSFET

PANJIT PSMB033N10NS2 100V N-Channel MOSFET features a high switching speed and low reverse transfer capacitance. The PANJIT PSMB033N10NS2 is housed in a TO-263AB-L package. The device is ideal for battery management systems in industrial applications and is compliant with IEC 61249 and EU RoHS 2.0 standards, using a Green molding compound.

80V & 100V Shield Gate Trench N-Channel MOSFETs

PANJIT 80V and 100V Shield Gate Trench (SGT) N-Channel MOSFETs feature a low R_DS(ON) and a high switching speed. These devices offer low reverse transfer capacitance and utilize green molding compounds, as specified in the IEC 61249 standard. These PANJIT MV enhancement mode MOSFETs are lead-free and compliant with EU RoHS 2.0, and are 100% UIS/Rg tested. These devices are available in various low-profile packages that save space, including DFN3333S-8L, DFN5060-8L, DFN5060S-8L, TO-220AB-L, TO-252AA, TO-263, and TOLL. Typical applications include PD chargers, adapters, lighting, home appliances, and DC-DC converters.