OptiMOS™ PD(電源供給)MOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™ PD(パワーデリバリ)MOSFETは、USB-PDおよび高速充電器の設計に最適で、短いリードタイムと高速見積もり応答時間に対応しています。PQFN 3.3mm × 3.3mmおよびSuperSO8パッケージのロジックレベルMOSFETは、充電器およびアダプタの25V~150VのSMPSアプリケーションにおける同期整流用に最適化されています。ロジックレベルの駆動は、低いゲートしきい値電圧(VGS(th))を提供し、低電圧および中電圧MOSFETを4.5Vから、またはマイクロコントローラから直接駆動することができ、アプリケーションの部品点数の削減につながります。

結果: 6
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム パッケージ化
Infineon Technologies MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS 4,307在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 30 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 4,002在庫
5,000予想2026/10/15
最低: 1
複数: 1
リール: 5,000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 64 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 11 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 4,165在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 5,000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 86 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 15 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 5,075在庫
10,000予想2026/10/29
最低: 1
複数: 1
リール: 5,000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 56 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 8.7 nC - 55 C + 175 C 44 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 69在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 100 V 71 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 13 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 5,000
複数: 5,000
リール: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 100 V 150 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 29 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel