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SISS94DN-T1-GE3

Name: Vishay SISS94DN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SISS94DN-T1-GE3
Price: 228 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

78-SISS94DN-T1-GE3

メーカ番号：

SISS94DN-T1-GE3

メーカ：

Vishay Semiconductors

詳細：

MOSFET N-CHANNEL 200-V(D-S) PowerPAK 1212-8S

データシート:

SISS94DN-T1-GE3 データシート

ECADモデル:

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在庫: 26,727

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パッケージング:

完全リール（3000の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥228.8	¥229
	¥144.3	¥1,443
	¥95.8	¥9,580
	¥75	¥37,500
	¥68.3	¥68,300
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥61.1	¥183,300
	¥56.5	¥339,000
	¥56.2	¥505,800
	¥54.7	¥1,312,800

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Vishay
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	PowerPAK-1212-8SH-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	200 V
Id - 連続ドレイン電流:	19.5 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	75 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4 V
Qg - ゲート電荷:	11 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	65.8 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	TrenchFET
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Vishay Semiconductors
構成:	Single
下降時間:	7 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	12 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	5 ns
シリーズ:	SISS
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	20 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	12 ns
単位重量:	488.500 mg

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ドキュメントの絞り込み:

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SISS94DN ThunderFET® MOSFET

Vishay SISS94DN ThunderFET^® MOSFETは、ThundrerFET技術が活用されているTrenchFET^®を採用しているNチャンネル200VDSデバイスです。このThunderFET^® MOSFETは、R_DS(on)、Q_g、Q_sw、Q_ossのバランスを最適化します。100% R_gおよび非圧着誘導スイッチング（UIS）試験を完了しています。このSISS94DN MOSFETは、PowerPAK 1212-8Sパッケージでご用意があり、無鉛（Pb）およびハロゲンフリー（SiSS94DN-T1-GE3）です。MOSFETは、-55°C～150°Cの温度範囲で動作し、シングル構成になっています。代表的なアプリケーションには、一次側スイッチング、同期整流、DC/DCトポロジ、照明、負荷スイッチ、モータ駆動制御があります。

ThunderFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix ThunderFET® Power MOSFETs provide low values of on-resistance for 100V MOSFETs with 4.5V ratings. The lower on-resistance translates into lower conduction losses and reduced power consumption for energy-saving green solutions. Vishay / Siliconix ThunderFET Power MOSFETs are optimized for primary-side switching and secondary-side synchronous rectification in isolated DC/DC power supply designs for telecom brick and bus converter applications. The 4.5V rating for on-resistance allows a wide range of PWM and gate driver ICs to be considered.