シールドゲートPowerTrench® MOSFET

onsemiシールドゲートPowerTrench® MOSFETは、シールドゲート技術を統合する高度PowerTrench®プロセスを使用して開発された、100V NチャンネルMV MOSFETです。 MOSFETは、優れたスイッチング性能と効率性を実現するために、オン状態抵抗（RDSON）および逆回復電荷（Qrr）を最小限に抑えます。 小型ゲート電荷（QG）、小型逆回復電荷（Qrr）、性能指数（FOM）によって、同期整流アプリケーション向けの確かな高速スイッチングを行います。 これらのデバイスには無電圧のオーバーシュートがほとんどなく、電圧リンギングを低減し、電源やモータドライブといった100V定格MOSFETを必要とするアプリケーションのEMIを低下させます。 さらにMOSFETの増大した電力密度によって、より広範なMOSFET軽減が可能になります。 これらのデバイスは100% UIL試験済で、MSL1の堅牢なパッケージ設計でご用意しています。
詳細

結果: 4
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
トレードネーム
パッケージ化
onsemi MOSFET PTNG 100/20V Nch Power Trench Mosfet
データシート
21,756在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
最大： 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel 1 Channel 100 V 51 A 9.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 21 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 100V/20V N-Channel PTNG MOSFET
データシート
1,097在庫
3,000予想2026/12/11
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
最大： 1,010
: 3,000

Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel 1 Channel 100 V 151 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 84 nC - 55 C + 150 C 138 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 100V/20V N-Chnl Power Trench MOSFET
データシート
17,406取寄中
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
最大： 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel 1 Channel 100 V 124 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET PTNG 100/20V Nch Power Trench MOSFET
データシート
4,862予想2027/04/16
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 3,000
Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel 1 Channel 100 V 78 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 37 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel