NVBYST0D6N08X 80V NチャンネルパワーMOSFET

onsemi NVBYST0D6N08X 80V N チャネル パワー MOSFET は、低 QRR とソフトリカバリ特性のボディダイオードを備え、TCPAK1012(TopCool)パッケージを採用しています。この MOSFET は、導通損失を最小限に抑えるRDS(on) と、ドライバ損失を低減する低 QG および低静電容量 を備えています。onsemi NVBYST0D6N08Xは、AEC-Q10AEC-Q101およびPPAP対応、鉛/BFRフリー、RoHS適合です。このMOSFETの主なアプリケーションは、DC-DCおよびAC-DCの同期整流 (SR)、絶縁型DC-DCコンバータの一次側スイッチ、モータドライバ、48V車載システムなどです。

結果: 2
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム パッケージ化
onsemi MOSFET PowerTrench T10 80V in TCPAK1012 package - 0.64 m? 980在庫
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Si SMD/SMT TCPAK1012 N-Channel 1 Channel 80 V 767 A 640 uOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 228 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape
onsemi NVBYST0D8N08XTXG
onsemi MOSFET PowerTrench T10 80V in TCPAK1012 package - 0.64 m 非在庫リードタイム 53 週間
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