MOBL™超高信頼性・非同期SRAM

Infineon Technologies MOBL™ 超高信頼性・非同期SRAMには、信頼性が高い多種多様な産業、通信、データ処理、医療、コンシューマー、軍事アプリケーションで機能できる性能が備わっています。これらのSRAMは、オンチップECCで利用可能です。これらのデバイスは、旧世代の非同期SRAMとの互換性があるフォームフィット機能です。これによってユーザーは、PCB再設計に投資することなくシステムの信頼性を向上できます。これらは、高速非同期SRAMのアクセス時間と独自の超低電力スリープモード(PowerSnooze™)が組み合わされた、ファミリ初のデバイスです。これらのInfineon Technologies高速SRAMは、非同期SRAMアプリケーションにおける性能と消費電力の間のトレードオフを解消します。既存ファミリの製品の最高クラスの機能は、PowerSnoseと呼ばれる新しい超低消費電力スリープモードの実現によって達成されています。PowerSnoozeは、標準の非同期SRAM動作モード(アクティブ、スタンバイ、データ保持)に対する追加の動作モードです。ディープスリープピン(DS#)を使用すると、高性能アクティブモードと超低電力PowerSnoozeモードの間でデバイスを切り替えることができます。4-Mbitデバイスで最小15 μAまでのディープスリープ電流を備えた高速SRAM(PowerSnooze搭載)には、高速SRAMおよびMicropower SRAMの最高クラスの機能が1つのデバイスに組み合わされています。

結果: 12
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル メモリ サイズ 編成 アクセス時間 インタフェース タイプ 供給電圧 - 最大 供給電圧 - 最小 供給電流 - 最大 最低動作温度 最高動作温度 取り付け様式 パッケージ化
Infineon Technologies SRAM ASYNC 84在庫
最低: 1
複数: 1

32 Mbit 4 M x 8/2 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Infineon Technologies CY62187G30-55BAXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC 294在庫
最低: 1
複数: 1

64 Mbit 4 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Infineon Technologies CY62157G30-45BVXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC 240在庫
最低: 1
複数: 1

8 Mbit 512 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Infineon Technologies CY62157G18-55BVXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 1
複数: 1

8 Mbit 512 k x 16 55 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 22 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Infineon Technologies CY62157G30-45ZSXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 1
複数: 1

8 Mbit 512 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Infineon Technologies CY62157G30-45ZXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 1
複数: 1

8 Mbit 512 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Infineon Technologies CY62157GE30-45ZXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 1
複数: 1

8 Mbit 512 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Infineon Technologies CY62158G30-45BVXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 1
複数: 1

8 Mbit 1 M x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Infineon Technologies CY62158G30-45ZSXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 1
複数: 1

8 Mbit 1 M x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Infineon Technologies CY62177G30-55BAXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC リードタイム 14 週間
最低: 1
複数: 1

32 Mbit 4 M x 8/2 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Infineon Technologies CY62157GE30-45BVXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 1
複数: 1

8 Mbit 512 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Infineon Technologies CY62158GE30-45BVXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 1
複数: 1

8 Mbit 1 M x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray