STD80N240K6

STMicroelectronics
511-STD80N240K6
STD80N240K6

メーカ:

詳細:
MOSFET N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package

ECADモデル:
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在庫: 364

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364
すぐに出荷可能
取寄中:
2,500
予想2026/08/17
工場リードタイム:
13
週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール(2500の倍数で注文)

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™
¥827.2 ¥827
¥606.4 ¥6,064
¥489.6 ¥48,960
¥435.2 ¥217,600
¥372.8 ¥372,800
完全リール(2500の倍数で注文)
¥372.8 ¥932,000
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
800 V
16 A
220 Ohms
- 30 V, 30 V
4 V
25.9 nC
- 55 C
+ 150 C
105 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: STMicroelectronics
製品タイプ: MOSFETs
工場パックの数量: 2500
サブカテゴリ: Transistors
単位重量: 330 mg
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

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JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STD80N240K6 800V 16A MDmesh K6パワーMOSFET

STMicroelectronicsSTD80N240K6800V16AMDmesh™K6 Power MOSFET は、優れた RDS(on) ×面積と低い総ゲート電荷量(Qg)により、高速スイッチングと低損失を実現します。集積ESD保護ダイオードによって、人体モデル(HBM)Class 2までSTD80N240K6 MOSFETの全体的な耐久性が向上します。MDmesh K6 MOSFETは、前のMDメッシュK5世代に比べて閾値電圧が低減されており、駆動電圧を下げることができるため、電力損失を低減して主にゼロワットスタンバイアプリケーションの効率を得ることができます。STD80N240K6は、LEDドライバやHIDランプといったフライバックトポロジに基づいた照明アプリケーション向けに最適化されています。また、このデバイスは、フラットパネルディスプレイ用アダプタおよび電源にも最適です。

NチャンネルMDmesh K6パワーMOSFET

STMicroelectronics Nチャネル MDmesh K6パワーMOSFETは、ツェナー・ダイオードによる保護、および100%アバランシェ試験済みが特徴です。これらのパワーMOSFETは、ドレイン・ソース間ブレークダウン電圧800V(最小値)、ゲート・ソース間電圧±30V、動作時接合部温度-55°C~150°Cです。MDmesh K6 Power MOSFETは、ダイオード回復時の最大電圧上昇率5V/ns、ダイオードの逆回復電流の最大傾き100A/µs、MOSFET dv/dt耐量120V/nsも特徴です。代表的なアプリケーションは、タブレット / ノートPC / オールインワンPC / フライバック・コンバータ用アダプタ、LED照明などです。