NチャンネルPowerMESHパワーMOSFET

STMicroelectronics NチャンネルPowerMESHパワーMOSFETは、STMicroelectronics連結ストリップレイアウトベースのMESH OVERLAY™プロセスで設計されています。 このプロセスは高電圧パワーMOSFETのアドバンスシリーズに際立った性能もたらしています。 独自のエッジ終端構造と組み合されて強化されたレイアウトによって、エリアあたり最低RDS(on)、他製品よりも優れたゲート電荷特性とスイッチング特性が付加されています。
詳細

結果: 6
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
トレードネーム
パッケージ化
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH
データシート
1,146在庫
2,400予想2026/06/15
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 2.5 A 9 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 29.3 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement PowerMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1500 V 4 A PowerMESH
データシート
1,361在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 7 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement PowerMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package
データシート
888在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 2.6 A 13 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 44 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement PowerMESH Tube

STMicroelectronics MOSFET N-channel 1500 V PowerMesh
データシート
785在庫
1,200予想2026/06/15
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 7 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 30 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement PowerMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET PowerMESH MOSFET
データシート
946予想2026/06/02
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement PowerMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH
データシート
497在庫
5,600予想2026/05/18
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 1,000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 2.5 A 9 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 29.3 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement PowerMESH Reel, Cut Tape, MouseReel