NXV08H350XT1

Name: onsemi NXV08H350XT1
Brand: onsemi
SKU: 863-NXV08H350XT1
Price: 13483 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

863-NXV08H350XT1

メーカ番号：

NXV08H350XT1

メーカ：

onsemi

詳細：

MOSFETモジュール APM17-MDC MV7 80V ALN

データシート:

NXV08H350XT1 データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	MOSFETモジュール
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	APM-17
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	80 V
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	757 uOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2 V
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 125 C
シリーズ:	NXV08H350XT1
パッケージ化:	Tube
ブランド:	onsemi
構成:	Half-Bridge
下降時間:	196 ns
製品タイプ:	MOSFET Modules
上昇時間:	298 ns
工場パックの数量:	40
サブカテゴリ:	Discrete and Power Modules
タイプ:	Automotive Power MOSFET Module
標準電源切断遅延時間:	476 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	298 ns

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データシート

NXV08H350XT1 データシート

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

NXV08H350XT1 MOSFETモジュール

Onsemi NXV08H350XT1 MOSFETモジュールは、デュアルハーフブリッジ80V車載用パワーMOSFETモジュールで、48Vマイルドハイブリッド車載アプリケーションを対象とした温度センシングが搭載されています。この2相パワーMOSFETモジュールは、低Rthjc向けに直接ボンド銅(DBC)基板で電気的に絶縁されています。NXV08H350XT1 モジュールは、モジュール全体の抵抗を低く抑えるためにコンパクトに設計されており、小型で効率的かつ信頼性の高いシステム設計によって車両の燃費を向上し、CO₂排出量を削減します。モジュール内部のコンポーネントは、AEC-Q101 (MOSFET)およびAEC-Q200 (受動部品）の認定を受けています。NXV08H350XT1パワーMOSFETモジュールは、48Vインバータおよび48Vトラクション・アプリケーションでの使用に最適です。