SCT018W65G3-4AG

STMicroelectronics
511-SCT018W65G3-4AG
SCT018W65G3-4AG

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥3,015.5 ¥3,016
¥2,308.1 ¥23,081
¥1,765.3 ¥176,530
¥1,608.8 ¥965,280
¥1,339.9 ¥1,607,880

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
Through Hole
HiP-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
55 A
27 mOhms
- 18 V, + 18 V
4.2 V
77 nC
- 55 C
+ 200 C
398 W
Enhancement
AEC-Q101
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
下降時間: 29 ns
パッケージ化: Tube
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 13 ns
工場パックの数量: 600
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
標準電源切断遅延時間: 64 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 24.5 ns
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選択した属性: 0

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JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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