SCT018W65G3-4AG

Name: STMicroelectronics SCT018W65G3-4AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT018W65G3-4AG
Price: 2542 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

511-SCT018W65G3-4AG

メーカ番号：

SCT018W65G3-4AG

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

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データシート:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	HiP-247-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	55 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	27 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 18 V, + 18 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.2 V
Qg - ゲート電荷:	77 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 200 C
Pd - 電力損失:	398 W
チャネルモード:	Enhancement
認証:	AEC-Q101
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
下降時間:	29 ns
パッケージ化:	Tube
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	13 ns
工場パックの数量:	600
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
標準電源切断遅延時間:	64 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	24.5 ns

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ECCN:: EAR99

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