D5F1GM9 High-Speed QSPI NAND Flash

GigaDevice D5F1GM9 High-Speed QSPI NAND Flash features breakthrough read speeds and innovative Bad Block Management (BBM) functionality. The GD5F1GM9 series combines NOR Flash's high-speed read performance with NAND Flash's large capacity and cost-effectiveness. These innovations address slow response times and vulnerability to bad block interference associated with traditional SPI NAND Flash. This high-speed QSPI NAND Flash is built on a 24nm process node. The series supports 3V and 1.8V operating voltages along with high-speed read modes. The GigaDevice GD51GM9 is ideal for fast-boot applications in sectors such as security, industrial, and the Internet of Things (IoT).

結果: 12
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル パッケージ化
GigaDevice GD5F1GM9REBIGY
GigaDevice NAND Flash 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 4,800
複数: 4,800

Tray
GigaDevice GD5F1GM9REWIGR
GigaDevice NAND Flash 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 3,000
複数: 3,000
リール: 3,000

Reel
GigaDevice GD5F1GM9REYIGR
GigaDevice NAND Flash 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 3,000
複数: 3,000
リール: 3,000

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GigaDevice GD5F1GM9UEBIGY
GigaDevice NAND Flash 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 4,800
複数: 4,800

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GigaDevice GD5F1GM9UEWIGR
GigaDevice NAND Flash 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 3,000
複数: 3,000
リール: 3,000

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GigaDevice GD5F1GM9UEYIGR
GigaDevice NAND Flash 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 3,000
複数: 3,000
リール: 3,000

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GigaDevice GD5F1GM9REBJGY
GigaDevice NAND Flash 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 4,800
複数: 4,800

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GigaDevice NAND Flash 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 3,000
複数: 3,000
リール: 3,000

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GigaDevice GD5F1GM9REYJGR
GigaDevice NAND Flash 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 3,000
複数: 3,000
リール: 3,000

Reel
GigaDevice GD5F1GM9UEBJGY
GigaDevice NAND Flash 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 4,800
複数: 4,800

Tray
GigaDevice GD5F1GM9UEWJGR
GigaDevice NAND Flash 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 3,000
複数: 3,000
リール: 3,000

Reel
GigaDevice GD5F1GM9UEYJGR
GigaDevice NAND Flash 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 3,000
複数: 3,000
リール: 3,000

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