DTMOSVI MOSFET

Toshiba DTMOSVIシリーズMOSFETには、低ドレイン-ソースON抵抗 (RDS(ON)= 0.033 Ω (typ)) が備わっています。これらのデバイスには、ドレイン発信源電圧650Vがあり、ドレイン電流57Aが備わっています。DTMOSVIシリーズMOSFETには、静電容量が低いさらなる高速スイッチング特性が備わっています。これらのMOSFETは、スイッチング電源アプリケーションでの使用に最適です。

結果: 16
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム パッケージ化
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ 1,058在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 70 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 47 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 230W 1MHz 8x8DFN 7,399在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 99 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 47 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK PD=80W F=1MHZ 351在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 9.7 A 430 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 20 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ 2,000在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 149 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ 3,792在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 86 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFET Power MOSFET 57A 360W 650V 1,087在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 57 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 105 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement DTMOSVI Tube
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ 1,232在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 51 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 62 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI 432在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET 270W 1MHz TO-247 59在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 62 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ 353在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 90 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 47 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSVI Tube
Toshiba MOSFET 230W 1MHz TO-247 2在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 90 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 47 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 650V DTMOS6-HSD TO-247 95mohm 30在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 50 nC + 150 C 230 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB(OS) PD=130W F=1MHZ 20在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 9.5 A 550 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 19 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSVI Tube
Toshiba MOSFET 360W 1MHz TO-247-4L(T) 非在庫リードタイム 20 週間
最低: 1
複数: 1
リール: 25

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 57 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 105 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement DTMOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO247-4L PD=230W F=1MHZ 非在庫リードタイム 20 週間
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 90 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 47 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSVI Tube
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ 非在庫リードタイム 20 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
リール: 2,000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 122 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Reel