CoolSiC™ 1200V G2 炭化ケイ素MOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V G2 炭化ケイ素MOSFETは、パワーエレクトロニクス・アプリケーション向けの高性能ソリューションを提供します。これらのMOSFETは優れた電気特性を持ち、スイッチング損失が非常に低いため、効率的な動作が可能です。1200V G2 MOSFETは、過負荷状態に対応するよう設計されており、200°Cまでの動作をサポートし、最大2µsの短回路に耐えることができます。これらのデバイスは、4.2Vの基準ゲート閾値電圧 VGS(th) を特徴としており、正確な制御を保証します。CoolSiC MOSFET 1200V G2は、第1世代の技術が持つ強みを活かした3種類のパッケージから入手可能で、よりコスト最適化、効率化、小型化された、設計が容易で信頼性の高いシステムのための先進的なソリューションを提供します。第2世代は、ハード / ソフトスイッチングトポロジーの主要な性能指標を大幅に向上させ、DC-DC、AC-DC、DC-ACステージの一般的な組み合わせに適しています。

結果: 45
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式
パッケージ/ケース
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
トレードネーム
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
データシート
35在庫
480取寄中
最低： 1
複数： 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 1 Channel 1.2 kV 97 A 23 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 382 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
データシート
142在庫
240取寄中
最低： 1
複数： 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 1 Channel 1.2 kV 69 A 34 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 289 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
データシート
128在庫
240予想2026/10/08
最低： 1
複数： 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 1 Channel 1.2 kV 55 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 45 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
データシート
18在庫
1,200取寄中
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 69 A 25 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 289 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
データシート
91在庫
2,000取寄中
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 144 A 12.2 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
データシート
359在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 87 A 21.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
データシート
1,651在庫
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 75 A 25.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 335 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
データシート
210在庫
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 52 A 39.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
データシート
1,757在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 41 A 52.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
データシート
532在庫
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 21.2 A 115.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
データシート
1,017在庫
1,000予想2027/03/18
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 14.9 A 181.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
データシート
5,094在庫
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 8.1 A 233.9 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 80 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
データシート
41在庫
2,000取寄中
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 29 A 78.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 20.6 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
データシート
35在庫
2,250予想2026/09/21
最低： 1
複数： 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 1 Channel 1.2 kV 31 A 205 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 23.2 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
データシート
5,049取寄中
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 1 Channel 1.2 kV 403 A 10.4 mOhms - 10 V, 25 V 5.1 V 348 nC - 55 C + 175 C 1.5 kW Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
データシート
492予想2027/07/29
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 1 Channel 1.2 kV 342 A 13.6 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 261 nC - 55 C + 175 C 1.364 kW Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling
データシート
1,500取寄中
最低： 1
複数： 1
: 750

CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
データシート
1,440取寄中
最低： 1
複数： 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 1 Channel 1.2 kV 38 A 69 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
データシート
1,992取寄中
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 48 A 40 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 39 nC - 55 C + 175 C 218 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
データシート
240予想2026/10/22
最低： 1
複数： 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 1 Channel 1.2 kV 28 A 103 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 21 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement CoolSiC