CSD22206W PチャンネルNexFETパワーMOSFET

Texas Instruments CSD22206W PチャンネルNexFETパワーMOSFETは、–8V、4.7mΩ、1.5mm×1.5mmのデバイスで、最低のオン抵抗とゲート電荷を供給できるように設計されており、最小パッケージに収められています。このデバイスは、可能な限り最小の外形で優れた熱特性を実現しています。この低オン抵抗は小型フットプリントかつ薄型で、スペースに制約のあるバッテリ駆動アプリケーションに最適です。
詳細

結果: 2
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
トレードネーム
パッケージ化
Texas Instruments MOSFET -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22206WT
データシート
1,140在庫
3,000予想2026/02/19
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT DSBGA-9 P-Channel 1 Channel 8 V 5 A 9.1 mOhms - 6 V, 6 V 1.05 V 14.6 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22206W
データシート
123在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
リール: 250

Si SMD/SMT DSBGA-9 P-Channel 1 Channel 8 V 2 A 9.1 mOhms - 6 V, 6 V 700 mV 14.6 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel