RF3L05150CB4

STMicroelectronics
511-RF3L05150CB4
RF3L05150CB4

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RF MOSFETトランジスタ 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
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製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: RF MOSFETトランジスタ
RoHS:  
N-Channel
Si
2.5 A
28 V
1 Ohms
945 MHz
16 dB
150 W
+ 200 C
Through Hole
LBB-4
Reel
ブランド: STMicroelectronics
チャンネル数: 1 Channel
製品タイプ: RF MOSFET Transistors
工場パックの数量: 100
サブカテゴリ: MOSFETs
タイプ: RF Power MOSFET
単位重量: 2.400 g
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データシート

USHTS:
8541290055
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

RF3L05150CB4 RFパワーLDMOSトランジスタ

STMicroelectronics RF3L05150CB4 RFパワーLDMOSトランジスタは、広帯域通信およびISMアプリケーション用に設計されている150W、28/32V LDMOS FETです。STM RF3L05150CB4 LDMOSトランジスタは、周波数HF～1GHzのアプリケーションを対象に設計されています。RF3L05150CB4は、すべての一般的な変調形式を対象にClass AB、B、またはCで使用できます。

LET RF Power Transistors

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