NVT201xN0 M2 SiC Nチャネル MOSFET

onsemi NVT201xN0 M2 SiC Nチャネル MOSFETは、既存のSi技術に比べてより高電圧の動作、幅広い温度範囲、スイッチング周波数の向上を実現します。これらのMOSFETは、低実効出力容量および超低ゲート電荷によって、より低いスイッチング損失とより高いスイッチング速度能力を実現します。NVT201xN0 M2 SiC Nチャンネル MOSFETは、100% UIS試験済みで、AEC-Q101認定を取得しています。

結果: 2
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード
onsemi SiC MOSFET T2PAK SIC 650V M2 560在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 800

SMD/SMT T2PAK-7 N-Channel 1 Channel 900 V 148 A 23 mOhms - 8 V, 22 V 4.3 V 250 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement
onsemi SiC MOSFET T2PAK SIC 650V M2
800予想2026/03/20
最低: 1
複数: 1
リール: 800

SMD/SMT T2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 180 A 18 mOhms - 8 V, 22 V 4.3 V 256 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement