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SIR680ADP-T1-RE3

Name: Vishay SIR680ADP-T1-RE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIR680ADP-T1-RE3
Price: 500 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

78-SIR680ADP-T1-RE3

メーカ番号：

SIR680ADP-T1-RE3

メーカ：

Vishay Semiconductors

詳細：

MOSFET N-CHANNEL 80V PowerPAK SO-8

データシート:

SIR680ADP-T1-RE3 データシート

ECADモデル:

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在庫: 6,062

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パッケージング:

完全リール（3000の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥500.8	¥501
	¥324.8	¥3,248
	¥225.6	¥22,560
	¥188.8	¥94,400
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥160	¥480,000
	¥150.7	¥1,356,300

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Vishay
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	PowerPAK-SO-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	80 V
Id - 連続ドレイン電流:	125 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	2.88 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3.5 V
Qg - ゲート電荷:	43 nC, 55 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	104 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	TrenchFET
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Vishay Semiconductors
構成:	Single
下降時間:	9 ns, 12 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	68 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	8 ns, 15 ns
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	N - Channel
標準電源切断遅延時間:	30 ns, 30 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	17 ns, 19 ns
単位重量:	506.600 mg

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選択した属性: 0

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データシート

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Application Notes

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiR680ADP Nチャンネル (D-S) MOSFET

Vishay SiR680ADP Nチャンネル（D-S）MOSFETは、TrenchFET^® Gen IVパワーMOSFETで、R_DS - Q_g性能指数が低いことが特徴です。このMOSFETは、最も低いR_DS～Q_ossFOMに調整されており、100％R_gとUIS試験が完了しています。SiR680ADP MOSFETは、-55°C～150°C温度範囲で動作します。このMOSFETは、80Vドレイン-ソース電圧、±20Vゲート-ソース電圧、125Aパルスドレイン電流で機能します。SiR680ADP MOSFETは、PowerPAK SO-8パッケージになっています。このMOSFETは、同期整流一次側スイッチ、DC/DCコンバータ、OR-ing、電源、モータ駆動制御での使用に最適です。

TrenchFET Gen IV MOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen IV MOSFETは、PowerPAK® SO-8および1212-8Sパッケージで業界最低のオン抵抗と低総ゲート電荷を実現しています。このTrenchFET Gen IV MOSFETは、RDS(on)が極めて低く、電力損失を低減して消費電力を削減します。TrenchFET MOSFETは、同等の効率性を備え、サイズが3分の1の省スペースPowerPAK® 1212-8パッケージもご利用いただけます。代表的な用途には、ハイパワーDC/DCコンバータ、同期整流、ソーラーマイクロインバータ、モータドライブスイッチなどがあります。