SiHx28N60EF / SiHx33N60EF EFシリーズパワーMOSFET

Vishay SiHx28N60EF / SiHx33N60EF EFシリーズパワーMOSFETは、位相シフトブリッジやLLCコンバータハーフブリッジなどZVS/ソフト切り替えPWMトポロジー用に開発されたファーストボディダイオード付き600V NチャネルパワーMOSFETです。SiHx28N60EF /SiHx33N60EF EFシリーズのパワーMOSFETは、 Qrrを標準型MOSFETの10分の1に下げることにより、これらのアプリケーションでの信頼性を向上させています。これにより、デバイスが完全破壊電圧をブロックする能力を素早く回復するため、シュートスルーや熱的過ストレスによる故障を防ぐのに役立ちます。その上、Qrrを低減したことにより、従来型MOSFETと比べて逆回復電荷損失率が低くなっています。デバイスの超低オン抵抗およびゲート電荷により、伝導損や切り替え損失が極めて低く、ハイパワー、ハイパフォーマンスの切り替えモードアプリケーションでエネルギーを節約します。Eシリーズ スーパージャンクション技術を搭載した本シリーズはアバランシェエネルギー定格（UIS）で、TO-220、TO-263、TO-220F、TO-247ACパッケージからお選びいただけます。
詳細

結果: 31
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
パッケージ化
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
データシート
在庫なし
最低： 1,000
複数： 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 24 A 156 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 81 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 600V
データシート
在庫なし
最低： 1
複数： 1
Si
Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
データシート
在庫なし
最低： 3,000
複数： 3,000
リール: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 153 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 55 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
データシート
在庫なし
最低： 3,000
複数： 3,000
リール: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 650 V 20.3 A 148 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 66 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
データシート
在庫なし
最低： 1,000
複数： 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 180 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 71 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
データシート
在庫なし
最低： 1,000
複数： 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 156 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 81 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube