SiCPAK™ F/G 1200V High-Power Modules

GeneSiC Semiconductor SiCPAK™ F/G 1200V High-Power Modules are designed for superior performance and robustness while meeting industry-standard footprints with pin-to-pin combability. These modules are robust, high-voltage, high-efficiency SiC MOSFETs, critical for reliable, harsh-environment, high-power applications. The SiCPAK™ F/G Modules enable expanded applications ranging from 10s kW to MW in rail, EV, fast charging, industry, solar, wind, and energy storage. Epoxy-resin potting technology provides high reliability and improved power/temperature cycling.

結果: 12
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説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
シリーズ
パッケージ化
GeneSiC Semiconductor MOSFETモジュール 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
データシート
96在庫
最低： 1
複数： 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 216 A 4.6 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 444 mW SiCPAK G Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFETモジュール 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
データシート
88在庫
最低： 1
複数： 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 216 A 4.6 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 444 mW SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFETモジュール 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module
データシート
95在庫
最低： 1
複数： 1

SiC Press Fit SiCPAK G 1.2 kV 9.3 mOhms SiCPAK G Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFETモジュール 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module, TIM
データシート
94在庫
最低： 1
複数： 1

SiC Press Fit SiCPAK G 1.2 kV 9.3 mOhms SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFETモジュール 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module
データシート
95在庫
最低： 1
複数： 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 104 A 12.5 mOhms - 40 C + 175 C 216 W SiCPAK G Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFETモジュール 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
データシート
94在庫
最低： 1
複数： 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 104 A 12.5 mOhms - 40 C + 175 C 216 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFETモジュール 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
データシート
66在庫
最低： 1
複数： 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 109 A 12.5 mOhms 2.7 V - 40 C + 175 C 238 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFETモジュール 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
データシート
94在庫
最低： 1
複数： 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 109 A 12.5 mOhms 2.7 V - 40 C + 175 C 238 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFETモジュール 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
データシート
95在庫
最低： 1
複数： 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 68 A 23 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 170 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFETモジュール 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
データシート
94在庫
最低： 1
複数： 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 68 A 23 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 170 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFETモジュール 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module
データシート
95在庫
最低： 1
複数： 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 53 A 24 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 106 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFETモジュール 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM
データシート
96在庫
最低： 1
複数： 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 53 A 24 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 106 W SiCPAK F Tray