SBRT15U50SP5-13D

Name: Diodes Incorporated SBRT15U50SP5-13D
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-SBRT15U50SP5-13D
Price: 124 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

621-SBRT15U50SP5-13D

メーカ番号：

SBRT15U50SP5-13D

メーカ：

Diodes Incorporated

詳細：

ショットキーダイオードおよび整流器 15A TrenchSBR 50Vrrm 15A 0.47V 0.5mA

データシート:

SBRT15U50SP5-13D データシート (PDF)

ECADモデル:

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在庫: 7,968

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パッケージング:

完全リール（5000の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥124.8	¥125
	¥97.3	¥973
	¥91.2	¥9,120
	¥71.8	¥35,900
	¥61.3	¥61,300
	¥60.3	¥150,750
完全リール（5000の倍数で注文）
	¥57.3	¥286,500

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Diodes Incorporated
製品カテゴリー:	ショットキーダイオードおよび整流器
RoHS:
REACH - SVHC:
製品:	Schottky Rectifiers
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	PowerDI5-3
構成:	Single Dual Anode
技術:	Si
If - 順電流（Forward Current）:	15 A
Vrrm - 繰返し逆電圧（Repetitive Reverse Voltage）:	50 V
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	410 mV
Ifsm - 順方向サージ電流（Forward Surge Current）:	290 A
Ir - 逆電流（Reverse Current）:	500 uA
最低動作温度:	- 65 C
最高動作温度:	+ 150 C
シリーズ:	SBRT1
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Diodes Incorporated
製品タイプ:	Schottky Diodes & Rectifiers
工場パックの数量:	5000
サブカテゴリ:	Diodes & Rectifiers
トレードネーム:	PowerDI
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）:	50 V
単位重量:	96 mg

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データシート

SBRT15U50SP5-13D データシート (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

JPHTS:: 854110090
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

SBRT15U50SP5 Trench Super Barrier Rectifier

Diodes Inc. SBRT15U50SP5 trench super barrier rectifier is packaged in the compact thermally efficient POWERDI5 package and provides ultra-low forward voltage drop (V_F) and provides excellent low reverse leakage stability at high temperatures. It is ideal for use as a rectification, freewheeling, or polarity protection diode in applications such as DC/DC converters.

Schottky SBR® Super Barrier Rectifiers

Diodes Inc. Schottky SBR^® Super Barrier Rectifiers are Schottky rectifiers that utilize an MOS manufacturing process. This creates a superior two-terminal device that has a lower forward voltage (V_F) than comparable Schottky diodes. They possess the thermal stability and high-reliability characteristics of PN epitaxial diodes.