SICW20C120 Silicon Carbide Schottky Diodes

Diotec Semiconductor SICW20C120 Silicon Carbide Schottky Diodes feature low capacitive charge, high-speed switching, and a high reverse voltage. The SICW20C120 diodes offer a <1.8V forward voltage and a 1200V repetitive peak reverse voltage. The device is ideally suited for high voltage/high-frequency switching used in charging systems for electric vehicles (EV), solar inverters, or telecom power supplies.

結果: 2
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース 構成 If - 順電流(Forward Current) Vrrm - 繰返し逆電圧(Repetitive Reverse Voltage) Vf - 順電圧(Forward Voltage) Ifsm - 順方向サージ電流(Forward Surge Current) 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ パッケージ化
Diotec Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード SiC Schottky Diode, TO-247-3L, 1200V, 40A 450在庫
最低: 1
複数: 1

SICW Tube
Diotec Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード SiC Schottky Diode, TO-247-3L, 1200V, 20A 437在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 10 A 1.2 kV 1.8 V 80 A - 50 C + 175 C SICW Tube