Infineon RFトランジスタ

Infineon RFトランジスタには、低ノイズアンプと高直線性トランジスタが搭載されています。低ノイズの分類に属するデバイスは、シリコン両極性技術に基づいています。中程度の遷移周波数fT <20 GHzにより、使用の容易さと安定性が実現されています。破壊電圧は、5Vの電源に安全に対応できます。これらのトランジスタは、最大14 GHzのVHF/UHFで、AMとの併用に最適です。

高直線性トランジスタにより、上記29 dBmのOIP3（出力出力3次インターセプトポイント）が実現されています。それらは、クラスノイズ指数において最高性能を実現するべく、Infineonの高ボリュームシリコン両極性およびSiGe:C技術に基づいています。 これらのデバイスは、ドライバ、プレアンプ、バッファアンプに理想的です。