BFR 193 E6327

Infineon Technologies
726-BFR193E6327
BFR 193 E6327

メーカ：

詳細：
RFバイポーラトランジスタ NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW

データシート:
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製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: RFバイポーラトランジスタ
RoHS:  
BFR193
Bipolar
Si
NPN
8 GHz
70
12 V
2 V
80 mA
- 65 C
+ 150 C
Single
SMD/SMT
SOT-23
AEC-Q100
Reel
ブランド: Infineon Technologies
最大 DC コレクタ電流: 80 mA
Pd - 電力損失: 580 mW
製品タイプ: RF Bipolar Transistors
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
別の部品番号: BFR193E6327XT SP000011056 BFR193E6327HTSA1
単位重量: 60 mg
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データシート

Product Catalogs

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JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210095
KRHTS:
8541219000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

Infineon RFトランジスタ

Infineon RFトランジスタには、低ノイズアンプと高直線性トランジスタが搭載されています。低ノイズの分類に属するデバイスは、シリコン両極性技術に基づいています。中程度の遷移周波数fT <20 GHzにより、使用の容易さと安定性が実現されています。破壊電圧は、5Vの電源に安全に対応できます。これらのトランジスタは、最大14 GHzのVHF/UHFで、AMとの併用に最適です。

高直線性トランジスタにより、上記29 dBmのOIP3（出力出力3次インターセプトポイント）が実現されています。それらは、クラスノイズ指数において最高性能を実現するべく、Infineonの高ボリュームシリコン両極性およびSiGe:C技術に基づいています。 これらのデバイスは、ドライバ、プレアンプ、バッファアンプに理想的です。

IoTアプリケーション用RFソリューション

Infineon Technologies RFソリューションのポートフォリオは、IoTアプリケーションでの信頼性の高いワイヤレス接続のための高性能RF技術製品を供給します。 IoTデバイスの数は驚異的な速度で増加しています。同時に、お客様は、製品のデザインと機能性に関して優れたユーザー体験を期待できます。

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