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MOSFET HIGH POWER_LEGACY
- IPB65R110CFDATMA2
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,015.5
-
非在庫リードタイム 8 週間
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Mouser 部品番号
726-IPB65R110CFDATM2
|
Infineon Technologies
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MOSFET HIGH POWER_LEGACY
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非在庫リードタイム 8 週間
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|
¥1,015.5
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¥696
|
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¥502
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¥476
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¥445
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最低： 1
複数： 1
:
1,000
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Si
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SMD/SMT
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D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
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650 V
|
31.2 A
|
257 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
4 V
|
118 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
277.8 W
|
Enhancement
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Reel, Cut Tape
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MOSFET HIGH POWER_LEGACY
- IPA65R150CFDXKSA2
- Infineon Technologies
-
1:
¥679.7
-
非在庫リードタイム 17 週間
|
Mouser 部品番号
726-IPA65R150CFDXKS2
|
Infineon Technologies
|
MOSFET HIGH POWER_LEGACY
|
|
非在庫リードタイム 17 週間
|
|
|
¥679.7
|
|
|
¥348.8
|
|
|
¥316.2
|
|
|
¥278.7
|
|
最低： 1
複数： 1
|
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|
Si
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Through Hole
|
TO-220FP-3
|
|
1 Channel
|
650 V
|
22.4 A
|
351 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
4 V
|
8 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
34.7 W
|
|
|
Tube
|
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MOSFET HIGH POWER_LEGACY
- IPP65R190CFDXKSA2
- Infineon Technologies
-
1:
¥627.6
-
非在庫リードタイム 16 週間
|
Mouser 部品番号
726-IPP65R190CFDXKSA
|
Infineon Technologies
|
MOSFET HIGH POWER_LEGACY
|
|
非在庫リードタイム 16 週間
|
|
|
¥627.6
|
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|
¥322.7
|
|
|
¥291.8
|
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|
¥238
|
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|
¥224.9
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
17.5 A
|
190 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.5 V
|
68 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
151 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
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MOSFET HIGH POWER_LEGACY
- IPW65R080CFDFKSA2
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,418.1
-
非在庫リードタイム 18 週間
|
Mouser 部品番号
726-IPW65R080CFDFKS2
|
Infineon Technologies
|
MOSFET HIGH POWER_LEGACY
|
|
非在庫リードタイム 18 週間
|
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|
¥1,418.1
|
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|
¥867.2
|
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|
¥731.9
|
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|
¥694.4
|
|
最低： 1
複数： 1
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|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
700 V
|
43.3 A
|
80 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
4 V
|
167 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
391 W
|
Enhancement
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|
Tube
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|
日本