MR2A08A & MR2A16A 4Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR2A08A and MR2A16A 4Mb Parallel MRAM devices offer SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The MR2A08A series products are 4,194,304-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) devices organized as 524,288 words of 8 bits. 

結果: 23
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル パッケージ/ケース インタフェース タイプ メモリ サイズ 編成 データ バス幅 アクセス時間 供給電圧 - 最小 供給電圧 - 最大 動作供給電流 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ パッケージ化
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 535在庫
¥7,275.2
¥6,727.1
¥6,509.5
¥6,348.3
最低: 1
複数: 1
BGA-48 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 85 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 826在庫
¥7,343.3
¥6,788.5
¥6,569.3
¥6,404.8
最低: 1
複数: 1
TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 85 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 232在庫
¥10,439.4
¥9,643.8
¥9,329.8
¥9,097.3
最低: 1
複数: 1
TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 125 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 1,620在庫
¥6,831.7
¥6,321.8
¥6,119.1
¥5,969.6
最低: 1
複数: 1
TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 1,066在庫
1,485予想2026/10/21
¥6,353.3
¥5,878.3
¥5,688.9
¥5,549.4
最低: 1
複数: 1
TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 65在庫
¥7,461.2
¥6,898.1
¥6,677.2
¥6,511.1
最低: 1
複数: 1
TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 189在庫
¥6,786.8
¥6,276.9
¥6,075.9
¥5,924.8
最低: 1
複数: 1
TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 50Mhz 512K x 8 SPI
798予想2026/12/02
¥5,728.8
¥5,301.9
¥5,132.5
¥5,006.3
最低: 1
複数: 1
DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR20H40 Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥5,720.5
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000
BGA-48 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 85 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥5,737.1
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 85 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥4,958.1
最低: 696
複数: 348
BGA-48 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥4,901.6
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000
BGA-48 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥7,653.9
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 125 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥4,959.7
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥7,466.2
¥6,903.1
¥6,680.5
¥6,561
最低: 1
複数: 1
BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥5,285.3
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000
BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR2A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥5,272
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR2A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥5,041.1
最低: 696
複数: 348
BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥4,934.8
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000
BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR2A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥8,456.2
¥7,816.7
¥7,565.9
¥7,376.5
最低: 1
複数: 1
BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥6,125.8
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000
BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR2A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥6,217.1
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR2A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥4,933.2
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR2A16A Reel