NT1821GVAE1S

Nisshinbo
848-NT1821GVAE1S
NT1821GVAE1S

メーカ：

詳細：
RF スイッチ IC 1.0 to 7.125 GHz High Isolation SPDT Switch

データシート:
ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について
詳細を表示
Nisshinbo NT1821GVAE1Sの詳細を読む

在庫: 5,000

在庫：
5,000 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
20 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥377.6 ¥378
¥240 ¥2,400
¥214.4 ¥5,360
¥176 ¥17,600
¥154.6 ¥38,650
¥146.4 ¥73,200
¥123 ¥123,000
¥112.3 ¥449,200
¥102.1 ¥816,800

製品属性 属性値 属性の選択
Nisshinbo Micro Devices
製品カテゴリー: RF スイッチ IC
RoHS:  
SPDT
1 GHz
7.125 GHz
0.6 dB
- 40 C
+ 105 C
SMD/SMT
DFN1010-6-GV
Si
ブランド: Nisshinbo
スイッチ数: Dual
動作周波数: 1 GHz to 7.125 GHz
Pd - 電力損失: 380 mW
製品タイプ: RF Switch ICs
サブカテゴリ: Wireless & RF Integrated Circuits
供給電圧 - 最大: 5 V
供給電圧 - 最小: 1.6 V
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

データシート

USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

NT1821GVAE1S SPDT Switch

Nisshinbo Micro Devices NT1821GVAE1S SPDT Switch offers high isolation for wireless communication systems, especially in Wi-Fi® 7 applications. The NT1821 supports high isolation between RF terminals around 40dB in high frequency up to 7.125GHz. The device attains low insertion loss and high linearity for 1.8V low operating voltage and 1.2V low control voltage.

予期しないエラーが発生しました。


質問がありますか？ Help Centre(ヘルプ・センター) にアクセスしてください。
特定の注文に関する質問がある場合は、 your account(あなたのアカウント) にログインしてください。

さらに問題が発生した場合は、800-346-6873にお問い合わせいただくか、 help@mouser.com に電子メールを送ってください。