DXTN69060C 60V NPN超低VCE (SAT)トランジスタ

Diodes Incorporated DXTN69060C 60V NPN超低VCE (SAT) トランジスタは、超低VCE (SAT) 性能とより低い動作温度の達成を目的とした独自の構造が特徴で、熱管理のニーズを最小限に抑えて長期信頼性を向上させます。Diodes Incorporated DXTN69060C仕様には、60V以上の破壊電圧(BVCEO)、5.5Aの連続コレクタ電流、1Aで45mV未満の低飽和電圧があります。24mΩで標準大電流RCE (sat) 、最大6AのhFE特性、2W電力損失、短いストレージ時間での高速スイッチングが備わっているこのトランジスタは、高電力アプリケーションでの効率的で信頼性の高い性能を目的に設計されています。

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選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 構成 最大 DC コレクタ電流 コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値 コレクタ - ベース電圧 VCBO エミッタ - ベース電圧 VEBO コレクタ - エミッタ飽和電圧 Pd - 電力損失 利得帯域幅製品 fT 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ パッケージ化
Diodes Incorporated バイポーラトランジスタ - BJT Pwr Low Sat Transistor SOT223 T&R 1K 923在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 1,000

Si SMD/SMT SOT223-4 NPN Single 5.5 A 60 V 80 V 7 V 180 mV 2 W 200 MHz - 55 C + 150 C DXTN69060CE Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated バイポーラトランジスタ - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8 T&R 2K 1,988在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 NPN Single 5.5 A 60 V 80 V 7 V 170 mV 2 W 200 MHz - 55 C + 150 C DXTN69060CFG Reel, Cut Tape