TFM-BLE薄膜パワー回路インダクタ

TDK TFM-BLE薄膜パワー回路インダクタには、高い飽和磁束密度の磁気金属材料が活用されており、電源回路用インダクタによって必要とされるDCバイアス特性を満たしています。これらのインダクタには取付安定性が備えられており、汎用ランドパターンに取り付けることが可能で、一般的なチップ部品と同じフットプリントと端子構造が特徴です。閉鎖磁気回路構造によって漏洩磁束を最小化します。TDK TFM-BLE薄膜パワー回路インダクタの特長は、0.24µH～1µHのインダクタンス範囲（公差±20%）、18mΩ～54mΩの代表的な直流抵抗範囲、および-40°C～+125°Cの動作温度範囲です。