EPC2305

EPC
65-EPC2305
EPC2305

メーカ:

詳細:
GaN FET EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm

ライフサイクル:
Mouser 初
ECADモデル:
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工場リードタイム:
18
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール(3000の倍数で注文)

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™
¥1,463.3 ¥1,463
¥998.3 ¥9,983
¥734.2 ¥73,420
¥725.9 ¥362,950
¥634.5 ¥634,500
完全リール(3000の倍数で注文)
¥591.3 ¥1,773,900
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。

製品属性 属性値 属性の選択
EPC
製品カテゴリー: GaN FET
RoHS:  
SMD/SMT
QFN-7
N-Channel
1 Channel
150 V
133 A
2.2 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
22 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
ブランド: EPC
構成: Single
水分感度: Yes
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
パッケージ化: MouseReel
製品: Power Transistor
製品タイプ: GaN FETs
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
技術: GaN
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
単位重量: 31.200 mg
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選択した属性: 0

コンプライアンスコード
JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290040
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
マレーシア
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

Efficient Power Conversion (EPC) EPC2305 Enhancement-Mode Gallium Nitride (GaN) Power Transistor is available in a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management. The EPC2305 features 150V drain-source breakdown voltage (continuous) VDS and 2.2mΩ typical and 3mΩ maximum drain-source on resistance RDS(on). This power resistor from EPC provides efficient operation in many topologies, thanks to the ultra-low capacitance and zero reverse recovery (QRR) of the eGaN® FET. Typical applications for the EPC2305 include phones, notebooks, gaming PCs, power tools, home robotics, e-mobility, and solar.