R60xx PrestoMOS™高電圧MOSFET

ROHM Semiconductor R60xx PrestoMOS™高電圧MOSFETには、600Vを実現しながらボードスペースの最適化を目的とした高速リカバリダイオードが組み込まれており、5つのパッケージ・タイプがあります。これらの第3世代の金属酸化物半導体電界効果トランジスタは、統合インバータが搭載されている電源に最適です。このデバイスの高速スイッチングには、内部ダイオードと高逆回復時間(trr)特性が組み合わされており、小型設計に貢献しながら効率の最適化と損失の低減を実現します。

結果: 73
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム パッケージ化
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 24A 3rd Gen, Low Noise 300在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 42A 3rd Gen, Fast Recover 135在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 42 A 104 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 100 nC - 55 C + 150 C 495 W Enhancement PrestoMOS Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 650V 15A 3rd Gen, Fast Switch 279在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 315 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 27.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Low Noise 3在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Fast Switch 270在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 72 nC - 55 C + 150 C 102 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 7A 3rd Gen, Fast Recover 1,570在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 780 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 17.5 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement PrestoMOS Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 3rd Gen, Fast Recover 非在庫リードタイム 18 週間
最低: 1,000
複数: 1,000
リール: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 1.43 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 10.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement PrestoMOS Reel
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 6A 3rd Gen, Fast Recover 非在庫リードタイム 18 週間
最低: 1,000
複数: 1,000
リール: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 936 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 15.5 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement PrestoMOS Reel
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 7A 3rd Gen, Fast Recover 非在庫リードタイム 18 週間
最低: 1,000
複数: 1,000
リール: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 780 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 17.5 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement PrestoMOS Reel
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 15A 3rd Gen, Low Noise 非在庫リードタイム 20 週間
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 290 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 20A 3rd Gen, Fast Recover 非在庫リードタイム 18 週間
最低: 1,000
複数: 1,000

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 234 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 45 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement PrestoMOS Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 20A 3rd Gen, Fast Recover 非在庫リードタイム 20 週間
最低: 600
複数: 600

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 234 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 45 nC - 55 C + 150 C 252 W Enhancement PrestoMOS Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 20A 3rd Gen, Fast Recover 非在庫リードタイム 20 週間
最低: 300
複数: 300

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 234 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 45 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 25A 3rd Gen, Fast Recover 非在庫リードタイム 18 週間
最低: 1,000
複数: 1,000

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 182 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 57 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement PrestoMOS Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 25A 3rd Gen, Fast Recover 非在庫リードタイム 20 週間
最低: 600
複数: 600

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 182 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 57 nC - 55 C + 150 C 306 W Enhancement PrestoMOS Tube
ROHM Semiconductor MOSFET 600V Vdss; 95W Pd PrestoMOS; 30A 非在庫リードタイム 18 週間
最低: 1,000
複数: 1,000
リール: 1,000

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 143 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 74 nC + 150 C 95 W Enhancement PrestoMOS Reel
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Fast Recover 非在庫リードタイム 20 週間
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 143 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 74 nC - 55 C + 150 C 93 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Low Noise 非在庫リードタイム 18 週間
最低: 1,000
複数: 1,000
リール: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Low Noise 非在庫リードタイム 20 週間
最低: 300
複数: 300

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Low Noise 非在庫リードタイム 20 週間
最低: 300
複数: 300

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 140 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 90 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Fast Switch 非在庫リードタイム 20 週間
最低: 600
複数: 600

Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 140 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Low Noise 非在庫リードタイム 20 週間
最低: 300
複数: 300

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 110 nC - 55 C + 150 C 102 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 6A 3rd Gen, Fast Recover 非在庫リードタイム 18 週間

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 936 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 15.5 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Reel