1200V TRENCHSTOP™ IGBT6

Infineon Technologies 1200V TRENCHSTOP™ IGBT6は、高効率、さらなる低伝導損失、スイッチング損失の要件を満たすように設計されています。これらのTRENCHSTOP IGBT6は、低ゲート電荷、低電磁干渉(EMI)、簡単な並列接続機能、ハードスイッチングにおける高効率、共振トポロジが特徴です。TRENCHSTOP IGBT6は、低伝導損失が最適化されているS6シリーズ、スイッチング損失が改善されたH6シリーズの、2つの製品ファミリでリリースされています。これらは、旧HighSpeed3 H3 IGBTを簡単に交換できるプラグ・アンド・プレイ置換製品です。TRENCHSTOP IGBT6には、TrenchおよびFieldStop技術が実装されており、ソフトで高速なリカバリ・アンチパラレル・ダイオードも使用されています。これらの1200V TRENCHSTOP IGBT6は、VCEsatでの正の温度係数のおかげで、簡単な並列接続能力を実現しています。一般的なアプリケーションには、産業用UPS、エネルギー貯蔵、3レベルのソーラーストリング・インバータ、溶接があります。

結果: 5
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 パッケージ/ケース 取り付け様式 構成 コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値 コレクタ - エミッタ飽和電圧 最大ゲート エミッタ電圧 25 Cでのコレクターの直流 Pd - 電力損失 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ パッケージ化
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY 2,344在庫
最低: 1
複数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.9 V - 20 V, 20 V 30 A 200 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP IGBT6 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY 257在庫
最低: 1
複数: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 80 A 500 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT6 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
1,698取寄中
最低: 1
複数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 80 A 500 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT6 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
718取寄中
最低: 1
複数: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 150 A 880 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT6 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
240予想2026/02/16
最低: 1
複数: 1

Si TO-247-3-46 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 150 A 880 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT6 Tube