DMTH64M2LPDW-13

Name: Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMTH64M2LPDW-13
Price: 393 JPY
Availability: OutOfStock

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Mouser 番号：

621-DMTH64M2LPDW-13

メーカ番号：

DMTH64M2LPDW-13

メーカ：

Diodes Incorporated

詳細：

MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Diodes Incorporated
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	PowerDI5060-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	2 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	60 V
Id - 連続ドレイン電流:	90 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	7.8 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.2 V
Qg - ゲート電荷:	48 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	74 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	Diodes Incorporated
構成:	Dual
下降時間:	38 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	22 ns
シリーズ:	DMTH64M2LPDW
工場パックの数量:	2500
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	55 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	5.2 ns

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TARIC:: 8541290000

DMTH64M2LPDWデュアルNチャンネルEモードMOSFET

ダイオーズ（Diodes Incorporated）DMTH64M2LPDWデュアルNチャンネルエンハンストモードMOSFETは、効率性の高いパワースイッチングアプリケーション用に設計されています。DMTH64M2LPDWには、2つのMOSFETが単一PowerDI^®5mm x 6mmパッケージに統合されており、コンパクトなサイズと優れた熱性能が備わっています。各チャンネルは、低オン抵抗[RDS _(on)]および高電流能力が特徴で、DC-DCコンバータでの同期整流、コンピューティングシステムでの電源管理、バッテリ保護回路に最適です。60Vの最大ドレイン－ソース電圧および最大90Aの連続ドレイン電流が備わっているこのDiodes Incデバイスによって、高速スイッチングと低導通損失が保証されます。堅牢な設計に加え、低ゲート電荷と高アバランシェ耐量を備えており、サーバーマザーボード、グラフィックスカード、携帯電子機器などの過酷な環境でも高い信頼性を発揮します。