結果: 17
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム パッケージ化
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V 2,654在庫
5,000予想2026/07/02
最低: 1
複数: 1
: 5,000

Si SMD/SMT SON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 44 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 17 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V 713在庫
最低: 1
複数: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 61 A 15.5 mOhms 20 V 4.5 V 31 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V 332在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 61 A 15.5 mOhms 20 V 4.5 V 31 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V 2,395在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole PG-TO220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 116 A 8.7 mOhms 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V 3,142在庫
3,600予想2026/05/26
最低: 1
複数: 1
: 1,800

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 200 V 140 A 6.8 mOhms 20 V 4.5 V 71 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V 6,278在庫
最低: 1
複数: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSON-8-3 N-Channel 1 Channel 200 V 88 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 39 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V 518在庫
5,000予想2026/05/26
最低: 1
複数: 1
: 1,000

Si SMD/SMT PG-TO263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 116 A 8.7 mOhms 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V 520在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 200 V 87 A 12 mOhms 20 V 4.5 V 37 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V 3,415在庫
最低: 1
複数: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 N-Channel 1 Channel 200 V 134 A 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 73 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V 1,486在庫
最低: 1
複数: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 200 V 138 A 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 72 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V 2,329在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 39 A 33.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 15.9 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V 1,785在庫
1,980取寄中
最低: 1
複数: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 200 V 87 A 12.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 37 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V 6,995在庫
最低: 1
複数: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 26 A 52 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 9.9 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V 469在庫
最低: 1
複数: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 200 V 87 A 12.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 37 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V 39在庫
2,500予想2026/05/26
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 136 A 6.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 73 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V 77在庫
4,000予想2026/06/11
最低: 1
複数: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 39 A 33.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 15.9 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V
9,900予想2027/03/25
最低: 1
複数: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 74 A 15.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 31 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel