SSM6N357R & SSM3K357R低オン抵抗MOSFET

SSM6N357R SSM3K357R低オン抵抗MOSFETは、シリコンNチャンネルMOSFETで、リレードライバアプリケーション向けに設計されています。SSM6N357R,LFには、2チャンネルが備わっています。またSSM3K357R,LFは、シングルチャンネルになっています。これらのMOSFETは、3Vゲート駆動電圧、内蔵内部ツェナーダイオード、レジスタ、2kVクラス人体モデル(HBM)が特徴です。この低オン抵抗MOSFETには、60Vドレイン-ソース電圧、±12Vゲート-ソース電圧、150℃チャンネル温度、12.6mJシングルパルス・アバランシェ・エネルギーが備わっています。

結果: 2
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード 認証 トレードネーム パッケージ化
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V 8,626在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 650 mA 1.8 Ohms - 12 V, 12 V 1.3 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V 5,106在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 2 Channel 60 V 650 mA 1.8 Ohms - 12 V, 12 V 1.3 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape