STGWA30M65DF2AG

STMicroelectronics
511-STGWA30M65DF2AG
STGWA30M65DF2AG

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IGBT Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥683.2 ¥683
¥448 ¥4,480
¥334.4 ¥40,128
¥297.6 ¥151,776
¥254.4 ¥259,488
¥240 ¥604,800

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
2.02 V
20 V
87 A
441 W
- 55 C
+ 175 C
AEC-Q101
Tube
ブランド: STMicroelectronics
連続コレクタ電流 IC 最大値: 57 A
ゲート - エミッタ リーク電流: 250 nA
製品タイプ: IGBTs
工場パックの数量: 30
サブカテゴリ: Transistors
単位重量: 6.100 g
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選択した属性: 0

データシート

PCN

JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STGWA30M65DF2AG車載グレードIGBT

STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG車載グレードIGBTは、高度な独自のトレンチゲートフィールドストップ構造を使用して設計されています。STMicroelectronics STGWA30M65DF2AGには、インバータ向けに最適なシステム性能と効率バランスが備わっており、損失が低く必要不可欠な短絡機能が備わっています。AEC-Q101の認定を取得しており、最高接合部温度は+175°C、短絡耐久時間は6μs、VCE (sat) は30Aで1.7Vと低く、緊密なパラメータ分布が特徴です。またソフトな高速リカバリアンチパラレルダイオードを搭載していて、熱抵抗が低く、TO-247ロングリードパッケージでご用意があります。

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