SCT4013DRC15

Name: ROHM Semiconductor SCT4013DRC15
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4013DRC15
Price: 6331 JPY
Availability: OutOfStock

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Mouser 番号：

755-SCT4013DRC15

メーカ番号：

SCT4013DRC15

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

SiC MOSFET TO247 750V 105A N-CH SIC

データシート:

SCT4013DRC15 データシート

ECADモデル:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-4
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	750 V
Id - 連続ドレイン電流:	105 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	16.9 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.8 V
Qg - ゲート電荷:	170 nC
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	312 W
チャネルモード:	Enhancement
ブランド:	ROHM Semiconductor
構成:	Single
下降時間:	17 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	32 S
パッケージ化:	Tube
製品:	MOSFET's
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	32 ns
工場パックの数量:	450
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタ極性:	N-Channel
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	82 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	17 ns
別の部品番号:	SCT4013DR

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Specification Sheets

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コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: アメリカ
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

750V NチャネルSiC MOSFET

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SCT4013DR Nチャンネル SiCパワーMOSFET

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