2ED210x低電流650Vハーフブリッジゲートドライバ

Infineon 2ED210x低電流650Vハーフブリッジゲートドライバには、統合ブートストラップダイオードが搭載されており、DSO-8またはDSO-14パッケージに収められています。2ED210x小電流0.7Aドライバは、シリコンオンインシュレーター（SOI）テクノロジーに基づいています。SOIテクノロジーは、独自の測定可能なベストインクラスの利点を実現している高電圧レベルシフトテクノロジーです。これらには、統合ブートストラップダイオード（BSD）およびベストインクラスの堅牢性があり、負の過渡電圧スパイクから保護します。このテクノロジーは、レベルシフトの電力損失を下げることもでき、デバイスのスイッチング電力散逸を最小限に抑えます。高度プロセスによって、モノリシック高電圧および低電圧回路の構築が可能になり、テクノロジーが強化されたメリットが得られます。