NVBG110N65S3F

onsemi
863-NVBG110N65S3F
NVBG110N65S3F

メーカ：

詳細：
MOSFET SF3 FRFET AUTO 110MOHM D2PAK 7L

ライフサイクル:
新製品:
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データシート:
ECADモデル:
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在庫: 800

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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,194.8 ¥1,195
¥795.4 ¥7,954
¥642.2 ¥64,220
¥544.4 ¥272,200
完全リール（800の倍数で注文）
¥505.3 ¥404,240

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
D2PAK-7L
N-Channel
1 Channel
650 V
30 A
110 mOhms
30 V
5 V
58 nC
- 55 C
+ 150 C
240 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
ブランド: onsemi
構成: Single
組立国: CN
拡散国: KR
原産国: CN
下降時間: 4.6 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 17 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 23 ns
シリーズ: NVBG110N65S3F
工場パックの数量: 800
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 67 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 31 ns
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

データシート

PCN

JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NVBG110N65S3F シングルNチャネル SUPERFET® MOSFET

オンセミ (onsemi) NVBG110N65S3FシングルNチャネルSUPERFET®IIIMOSFETは、電荷バランス技術を採用した高耐圧スーパージャンクション（SJ）MOSFETであり、低オン抵抗および低ゲート電荷特性を実現しています。このテクノロジーは、導通損失の低減、高いスイッチング性能の実現、および極めて高いdv/dt耐性の確保に寄与します。NVBG110N65S3F MOSFETは、さまざまな電源システムに適しており、小型化と高効率化に貢献します。このMOSFETは、AEC-Q101認定済でPPAPに対応しています。NVBG110N65S3F MOSFETはPbフリーであり、RoHSに準拠しています。代表的なアプリケーションには、電気自動車（BEV）向けの車載オンボードチャージャおよび車載DC/DCコンバータが含まれます。

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