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SIA466EDJ-T1-GE3

Name: Vishay SIA466EDJ-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIA466EDJ-T1-GE3
Price: 168 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

78-SIA466EDJ-T1-GE3

メーカ番号：

SIA466EDJ-T1-GE3

メーカ：

Vishay Semiconductors

詳細：

MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

データシート:

SIA466EDJ-T1-GE3 データシート

ECADモデル:

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在庫: 54,243

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パッケージング:

完全リール（3000の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥168	¥168
	¥104.8	¥1,048
	¥68.6	¥6,860
	¥53	¥26,500
	¥48	¥48,000
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥41.4	¥124,200
	¥38.2	¥229,200
	¥37	¥333,000
	¥35.7	¥856,800

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Vishay
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SC-70-6
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	20 V
Id - 連続ドレイン電流:	25 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	9.5 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1 V
Qg - ゲート電荷:	20 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	19.2 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	TrenchFET
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Vishay Semiconductors
構成:	Single
製品タイプ:	MOSFETs
シリーズ:	SIA
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors

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選択した属性: 0

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データシート

SIA466EDJ-T1-GE3 データシート

Models

PCN

Product Change Notification (PDF)

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

SiA466EDJ Nチャネル20V（D-S）MOSFET

Vishay SiA466EDJは、フットプリント2.05mm×2.05mmのSC-70パッケージを使用するように設計されたNチャネルの20V（D-S）MOSFETです。2500Vの標準的なESD保護機能を備えており、R_gでテストされています。SiA466EDJは、主にスマートフォン、モバイルコンピューティング、DC/DCコンバータ、電力管理、負荷スイッチに使用されます。
詳細

産業用電源ソリューション

Vishayは、産業用電源アプリケーションを対象とした半導体および受動部品の、業界で最も広い選択肢を提供しています。Vishayの産業用電源の製品ポートフォリオには、パワーMOSFET、パワーIC、整流器、ダイオード、コンデンサ、レジスタ、インダクタがあります。

TrenchFET Gen IV MOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen IV MOSFETは、PowerPAK® SO-8および1212-8Sパッケージで業界最低のオン抵抗と低総ゲート電荷を実現しています。このTrenchFET Gen IV MOSFETは、RDS(on)が極めて低く、電力損失を低減して消費電力を削減します。TrenchFET MOSFETは、同等の効率性を備え、サイズが3分の1の省スペースPowerPAK® 1212-8パッケージもご利用いただけます。代表的な用途には、ハイパワーDC/DCコンバータ、同期整流、ソーラーマイクロインバータ、モータドライブスイッチなどがあります。