SuperFET® V MOSFET

onsemi SuperFET® V MOSFETは、第5世代の高電圧スーパージャンクション (SJ) MOSFETです。これらのデバイスは、当該クラスで最高レベルのメリット指数 (FoM) (RDS(ON)·QG およびRDS(ON)·EOSS) を実現しており、重負荷だけでなく軽負荷の効率性も向上できます。600V SuperFET V MOSFETは、導通損失とスイッチング損失の両方の低減によって設計上の利点を提供すると共に、極めて高い120V/nsのMOSFET dVDS/dtをサポートします。SuperFET V MOSFET高速シリーズは、システム効率性および電力密度の最大化に貢献します。SuperFET V MOSFET Easy Driveシリーズには、優れたスイッチング性能が組み合わされており、ハードおよびソフト両方のスイッチングトポロジの使いやすさも妥協していません。代表的なアプリケーションには、テレコミュニケーション、クラウドシステム、工業があります。

結果: 5
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード パッケージ化

onsemi MOSFET SUPERFET5 EASY 99MOHM T 327在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 33 A 99 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 184 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET SF5 600V EASY ZENER 280MO 2,351在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 17.9 nC - 55 C + 170 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape

onsemi MOSFET SUPERFET5 EASY 120MOHM 783在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 120 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET SUPERFET5 FAST 41MOHM T 527在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 57 A 41 mOhms - 30 V, 30 V 4.3 V 108 nC - 55 C + 150 C 329 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET SF5 600V FAST 61MOHM FOR
3,000予想2026/06/12
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT TDFN-4 N-Channel 1 Channel 600 V 41 A 61 mOhms 30 V 4.3 V 73.6 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape