NXP BTA420 3象限Hi-Comトライアック

NXP Semiconductorsのプレーナーパシベーテッド、3象限Hi-Comトライアックは、高静電のダイナミックなdV/dtと高dI/dtが発生する回路での使用を目的としています。BTA420シリーズは、スナバ回路による補助がなくても最高定格接合温度（Tj（最大）= 150°C）で全RMS電流を整流します。「高い接合部動作温度能力」が必要なアプリケーションで使用されます。
詳細

結果: 8
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル オン状態実効電流 - It 実効値
非反復オン電流
定格ピーク繰り返しオフ電圧 VDRM
オフ状態リーク電流 (VDRM IDRM)
オン状態電圧
保持電流（Ih 最大）
ゲート トリガー電圧 - Vgt
ゲート トリガー電流 - Igt
最低動作温度
最高動作温度
取り付け様式
パッケージ/ケース
WeEn Semiconductors トライアック _3Q Hi-Com Triac
データシート
3,917在庫
最低： 1
複数： 1

20 A 220 A 800 V 200 uA 1.2 V 60 mA 700 mV 50 mA + 150 C Through Hole TO-220F-3
WeEn Semiconductors トライアック _3Q Hi-Com Triac
データシート
2,062在庫
最低： 1
複数： 1

20 A 220 A 800 V 200 uA 1.2 V 40 mA 700 mV 35 mA + 150 C Through Hole TO-220F-3
WeEn Semiconductors トライアック _3Q Hi-Com Triac
データシート
667在庫
6,000予想2026/05/14
最低： 1
複数： 1

20 A 220 A 800 V 200 uA 1.2 V 60 mA 700 mV 50 mA + 150 C Through Hole TO-220AB-3
WeEn Semiconductors トライアック BTA420-800CT/SIL3P/STANDARD MA
データシート
非在庫リードタイム 16 週間
最低： 6,000
複数： 1,000

20 A 220 A 800 V 200 uA 1.2 V 40 mA 700 mV 35 mA + 150 C Through Hole TO-220AB-3
WeEn Semiconductors トライアック 3Q Hi-Com Triac
データシート
非在庫リードタイム 16 週間
最低： 3,600
複数： 600

20 A 220 A 800 V 200 uA 1.2 V 40 mA 700 mV 35 mA + 150 C Through Hole TO-220F-3
WeEn Semiconductors トライアック BTA420X-800CT/L03/TO-220F/STAN
データシート
非在庫リードタイム 16 週間
最低： 3,600
複数： 600

20 A 200 A 800 V 1.2 V 40 mA 700 mV 35 mA - 40 C + 150 C Through Hole TO-220F-3
WeEn Semiconductors トライアック 3Q Hi-Com Triac
データシート
非在庫リードタイム 16 週間
最低： 6,000
複数： 1,000

20 A 220 A 800 V 200 uA 1.2 V 60 mA 700 mV 50 mA + 150 C Through Hole TO-220AB-3
WeEn Semiconductors トライアック 3Q Hi-Com Triac
データシート
非在庫リードタイム 16 週間
最低： 6,000
複数： 1,000

20 A 220 A 800 V 200 uA 1.2 V 40 mA 700 mV 35 mA + 150 C Through Hole TO-220AB-3