FDT4N50NZU

onsemi
863-FDT4N50NZU
FDT4N50NZU

メーカ:

詳細:
MOSFET UNIFET II 3OHM SOT223

ECADモデル:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
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¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥302.4 ¥302
¥190.4 ¥1,904
¥130.2 ¥13,020
¥103.2 ¥51,600
¥95.5 ¥95,500
¥89.3 ¥178,600
完全リール(4000の倍数で注文)
¥89.3 ¥357,200

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
500 V
2 A
3 Ohms
- 25 V, 25 V
5.5 V
9.1 nC
- 55 C
+ 150 C
2 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
ブランド: onsemi
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: MY
製品タイプ: MOSFETs
シリーズ: FDT4N50NZU
工場パックの数量: 4000
サブカテゴリ: Transistors
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選択した属性: 0

JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

FDT4N50NZU UniFET II MOSFET

onsemi FDT4N50NZO UniFET II MOSFETは、高度平面ストリップとDMOS技術に基づいた高電圧MOSFETです。MOSFETは、プレーナMOSFETの中でもON状態抵抗が低く抑えられています。また、優れたスイッチング性能、さらなる高アバランシェ・エネルギー強度を実現しています。内部ゲート-ソースESDダイオードを使用すると、2kV HBM以上のサージストレスに対する耐性がUniFET II MOSFETに生まれます。