IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ デュアル構成モジュール

Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ デュアル構成モジュールは、損失の低減および高い可操作性を実現する微細パターントレンチ技術をベースにしています。セルの概念は、正方形のトレンチセルとは対照的に、サブミクロンメサによって分離されたパラレルトレンチセルの実装を特長としています。工業駆動アプリケーションおよび太陽光エネルギーシステム用に特別に最適化されたチップは、低静的損失、高電力密度、ソフトスイッチングを実現しています。175°Cの最大動作温度が備わっているこのモジュールを使用すると、電力密度の大幅な増加が可能になります。

結果: 10
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 製品
構成
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値
コレクタ - エミッタ飽和電圧
25 Cでのコレクターの直流
ゲート - エミッタ リーク電流
最低動作温度
最高動作温度
パッケージ化
Infineon Technologies IGBT モジュール 1200 V, 450 A dual IGBT module
データシート
17在庫
最低： 1
複数： 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT モジュール 2300 V, 1800 A dual IGBT module
データシート
2在庫
最低： 1
複数： 1

Tray
Infineon Technologies IGBT モジュール 1200 V, 600 A dual IGBT module
データシート
33在庫
最低： 1
複数： 1

Tray
Infineon Technologies IGBT モジュール 1200 V, 900 A dual IGBT module
データシート
10在庫
12予想2026/08/03
最低： 1
複数： 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT モジュール 1200 V, 900 A dual IGBT module
データシート
24在庫
最低： 1
複数： 1
いいえ
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT モジュール 1200 V, 300 A dual IGBT module
データシート
11在庫
最低： 1
複数： 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 300 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT モジュール 1200 V, 900 A dual IGBT module
データシート
6在庫
最低： 1
複数： 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT モジュール 1700 V, 750 A dual IGBT module
データシート
4予想2027/02/25
最低： 1
複数： 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT モジュール PP IHM I
データシート
リードタイム 20 週間
最低： 1
複数： 1

Tray
Infineon Technologies IGBT モジュール 1200 V, 750 A dual IGBT module
データシート
非在庫リードタイム 24 週間
最低： 10
複数： 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray