IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ デュアル構成モジュール

Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ デュアル構成モジュールは、損失の低減および高い可操作性を実現する微細パターントレンチ技術をベースにしています。セルの概念は、正方形のトレンチセルとは対照的に、サブミクロンメサによって分離されたパラレルトレンチセルの実装を特長としています。工業駆動アプリケーションおよび太陽光エネルギーシステム用に特別に最適化されたチップは、低静的損失、高電力密度、ソフトスイッチングを実現しています。175°Cの最大動作温度が備わっているこのモジュールを使用すると、電力密度の大幅な増加が可能になります。

結果: 10
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 製品 構成 コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値 コレクタ - エミッタ飽和電圧 25 Cでのコレクターの直流 ゲート - エミッタ リーク電流 最低動作温度 最高動作温度 パッケージ化
Infineon Technologies IGBT モジュール 1200 V, 900 A dual IGBT module 6在庫
最低: 1
複数: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT モジュール 1200 V, 450 A dual IGBT module 17在庫
最低: 1
複数: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT モジュール 1200 V, 300 A dual IGBT module 25在庫
最低: 1
複数: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 300 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT モジュール 2300 V, 1800 A dual IGBT module
2在庫
最低: 1
複数: 1

Tray
Infineon Technologies IGBT モジュール 1200 V, 600 A dual IGBT module 18在庫
20予想2026/02/26
最低: 1
複数: 1

Tray
Infineon Technologies IGBT モジュール 1200 V, 900 A dual IGBT module 10在庫
最低: 1
複数: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT モジュール 1200 V, 900 A dual IGBT module
20予想2026/04/28
最低: 1
複数: 1
いいえ
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT モジュール PP IHM I
非在庫リードタイム 14 週間
最低: 1
複数: 1

Tray
Infineon Technologies IGBT モジュール 1200 V, 750 A dual IGBT module 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 10
複数: 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT モジュール 1700 V, 750 A dual IGBT module 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 10
複数: 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray