NTBS9D0N10MC

onsemi
863-NTBS9D0N10MC
NTBS9D0N10MC

メーカ：

詳細：
MOSFET PTNG 100V 9.0MOHM D2PAK-3L

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 5,300

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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（800の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥579.2 ¥579
¥379.2 ¥3,792
¥265.6 ¥26,560
¥217.6 ¥108,800
完全リール（800の倍数で注文）
¥217.6 ¥174,080
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
60 A
9 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
23 nC
- 55 C
+ 175 C
68 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: onsemi
製品タイプ: MOSFETs
シリーズ: NTBS9D0N10MC
工場パックの数量: 800
サブカテゴリ: Transistors
単位重量: 360 mg
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選択した属性: 0

データシート

PCN

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

NTBS9D0N10MCシングルNチャンネルMOSFET

Onsemi NTBS9D0N10MCシングルNチャンネルMOSFETには、導通損失を最小限に抑えるドレイン－ソース間ON抵抗RDS (ON) が低く抑えられています。このMOSFETは、ドライバ損失を最小限に抑える低全ゲート電荷(QG)および静電容量を実現しています。Onsemi NTBS9D0N10MC MOSFETは、スイッチングノイズ/電磁干渉(EMI)を低減します。このMOSFETは、100Vドレイン－ソース電圧(VDSS)および60A最大連続ドレイン電流(ID)が特徴です。代表的なアプリケーションには、電動工具、バッテリ駆動掃除機、無人航空機(UAV)/ドローン、マテリアルハンドリング、バッテリ管理システム(BMS)/ストレージ、ホームオートメーションがあります。

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