NoBL Sync SRAM

Infineon Technologies No Bus Latency (NoBL) Burst SRAM eliminates the bus turnaround delay associated with switching between read and write operations to lower latency and increase performance. NoBL SRAM is popular in networking and test equipment applications. Similar to Infineon Standard Synchronous Burst SRAM counterparts, NoBL SRAM is offered in Flow-through and Pipelined architectures. Flow-through parts offer lower latencies, and pipelined parts offer higher operating frequencies, allowing users to select the optimal memory for their application.

結果: 24
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル メモリ サイズ 編成 アクセス時間 最高クロック周波数 インタフェース タイプ 供給電圧 - 最大 供給電圧 - 最小 供給電流 - 最大 最低動作温度 最高動作温度 取り付け様式 パッケージ/ケース パッケージ化
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 200MHz SRAM 12在庫
最低: 1
複数: 1

72 Mbit 2 M x 36 3 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 500 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 167MHz SRAM 280在庫
最低: 1
複数: 1

72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 2.5v 200MHz SRAM 101在庫
最低: 1
複数: 1
いいえ
72 Mbit 2 M x 36 3 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72Mb 2.5V 167Mhz 2Mx36 Pipelined SRAM 46在庫
最低: 1
複数: 1

72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 400 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 3.3v 167MHz SRAM 3在庫
最低: 1
複数: 1

72 Mbit 4 M x 18 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72Mb 2.5V 250Mhz 2Mx36 Pipelined SRAM 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 144
複数: 144

72 Mbit 2 M x 36 3 ns 250 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 250MHz SRAM 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 210
複数: 210

72 Mbit 2 M x 36 3 ns 250 MHz Parallel 3.63 V 3.14 V 500 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 2.5v 200MHz SRAM 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 105
複数: 105

72 Mbit 2 M x 36 3 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 2.5v 200MHz SRAM 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 360
複数: 360

72 Mbit 4 M x 18 3 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72Mb 2.5V 167Mhz 2Mx36 Pipelined SRAM 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 144
複数: 144

72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 400 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72Mb 2.5V 200Mhz 2Mx36 Pipelined SRAM 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 144
複数: 144

72 Mbit 2 M x 36 3 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72Mb 2.5V 200Mhz 2Mx36 Pipelined SRAM 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 1
複数: 1

72 Mbit 2 M x 36 3 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72Mb 2.5V 250Mhz 2Mx36 Pipelined SRAM 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 144
複数: 144

72 Mbit 2 M x 36 3 ns 250 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 167MHz SRAM 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 360
複数: 360

72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 2.5v 133MHz SRAM 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 144
複数: 144

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 305 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 133MHz SRAM 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 144
複数: 144

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 305 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 2.5v 200MHz SRAM 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 360
複数: 360

72 Mbit 2 M x 36 3 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 167MHz SRAM 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 144
複数: 144

72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 2.5v 200MHz SRAM 非在庫リードタイム 30 週間
最低: 1
複数: 1

72 Mbit 4 M x 18 3 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 3.3v 200MHz SRAM 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 144
複数: 144

72 Mbit 4 M x 18 3 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 500 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 133MHz SRAM 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 525
複数: 525
いいえ
72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.63 V 3.14 V 305 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 4.6v 200MHz SRAM 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 210
複数: 210
いいえ
72 Mbit 4 M x 18 3 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 500 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 167MHz SRAM 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 210
複数: 210
いいえ
72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 167MHz SRAM 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 210
複数: 210
いいえ
72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray