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SI7454FDP-T1-RE3

Name: Vishay SI7454FDP-T1-RE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SI7454FDP-T1-RE3
Price: 216 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

78-SI7454FDP-T1-RE3

メーカ番号：

SI7454FDP-T1-RE3

メーカ：

Vishay / Siliconix

詳細：

MOSFET SOT669 100V 23.5A N-CH MOSFET

データシート:

SI7454FDP-T1-RE3 データシート

ECADモデル:

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在庫: 18,152

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パッケージング:

完全リール（3000の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥216	¥216
	¥137.6	¥1,376
	¥84	¥8,400
	¥68.2	¥34,100
	¥62.9	¥62,900
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥56.2	¥168,600
	¥53.6	¥321,600
	¥50.9	¥458,100
	¥50.7	¥1,216,800

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Vishay
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	PowerPAK-SO-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	100 V
Id - 連続ドレイン電流:	23.5 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	29.5 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.4 V
Qg - ゲート電荷:	17.4 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	39 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	TrenchFET
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Vishay / Siliconix
構成:	Single
下降時間:	4 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	33 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	5 ns
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	19 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	9 ns

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選択した属性: 0

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Si7454FDP Nチャンネル100V MOSFET

Vishay/Siliconix Si7454FDP Nチャンネル100V MOSFETは、TrenchFET® Gen IVパワーMOSFETで、RDS x Qg性能指数 (FOM) が非常に低く抑えられています。Si7454FDPには、23.5A I_D および8nC Q_g があります。Vishay/Siliconix Si7454FDP MOSFETは、シングルPowerPAK^® SO-8パッケージに格納されており、-55°C ～ +150°C動作接合部および保存温度範囲に指定されています。

Si74 MOSFET

Vishay Si74 MOSFETは、オン抵抗を低減するTrenchFET® 技術が特徴で、30V ～ 250Vの範囲での信頼性と性能を保証します。NチャンネルおよびPチャンネルMOSFETは、IEC 61249-2-21定義の下でハロゲンフリーです。これらのMOSFETはPowerPAK® パッケージを採用しており、小さな熱抵抗、コンパクトなサイズ、1.07mmのスリム形状が特長で、実装スペースが限定的で熱管理が重視されるアプリケーションに最適です。

TrenchFET Gen IV MOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen IV MOSFETは、PowerPAK® SO-8および1212-8Sパッケージで業界最低のオン抵抗と低総ゲート電荷を実現しています。このTrenchFET Gen IV MOSFETは、RDS(on)が極めて低く、電力損失を低減して消費電力を削減します。TrenchFET MOSFETは、同等の効率性を備え、サイズが3分の1の省スペースPowerPAK® 1212-8パッケージもご利用いただけます。代表的な用途には、ハイパワーDC/DCコンバータ、同期整流、ソーラーマイクロインバータ、モータドライブスイッチなどがあります。