結果: 2
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
パッケージ化
IXYS MOSFET 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247
データシート
253在庫
300予想2027/02/10
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 400 A 3.3 mOhms 20 V 4.5 V 348 nC - 55 C + 175 C 1.36 kW Enhancement Tube
IXYS MOSFET 200V 2.65mohm 500A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS264
データシート
600取寄中
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 400 A 2.65 mOhms 20 V 4.5 V 535 nC - 55 C + 175 C 1.56 kW Enhancement Tube