OptiMOS™ 5 リニア FET 2 MOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™ 5 リニアFET 2 MOSFETは、ホットスワップおよびeヒューズアプリケーション向けに最適化されており、非常に低いオン抵抗 RDS(on) と広い安全動作領域(SOA)により、卓越した性能を提供します。これらのNチャネル、ノーマルレベルMOSFETは、信頼性を保証するために100%アバランシェテスト済みで、無鉛リードメッキを採用し、RoHSに準拠しています。さらに、このMOSFETは、IEC61249-2-21規格に基づくハロゲンフリーであり、要求の厳しいアプリケーションにも適合する環境に優しい製品となっています。

結果: 3
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム パッケージ化
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 7,015在庫
最低: 1
複数: 1
: 2,000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 321 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 165 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 1,625在庫
最低: 1
複数: 1
: 2,000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 243 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 115 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 5 single N-channel Linear FET 2 100 V, 176 A in 8 mm x 8 mm footprint
13,800取寄中
最低: 1
複数: 1
: 2,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 284 A 1.7 mOhms 20 V 3.45 V 142 nC - 55 C + 175 C 349 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel