NTBGSxDxN15MC & NVBGSxDxN15MC NチャンネルMOSFET

Onsemi NTBGSxDxN15MCおよびNVBGSxDxN15MC NチャンネルMOSFETは、150Vドレイン-ソース電圧(V(BR) DSS)および低スイッチングノイズ/EMIが特徴です。これらのデバイスには、ドライバ損失を最小限に抑える低QG と静電容量、導通損失を最小限に抑える低RDS (on) が備わっています。NTBGSxDxN15MCおよびNVBGSxDxN15MC MOSFETは、無鉛、ハロゲンフリー/BFRフリー、RoHS準拠D2PAK7パッケージでご用意があります。代表的なアプリケーションには、電動工具、バッテリ駆動掃除機、無人航空機(UAV)/ドローン、マテリアルハンドリング、バッテリマネジメントシステム(BMS)/ストレージ、ホームオートメーション、産業フォークリフト、牽引制御システムがあります。

結果: 2
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード パッケージ化
onsemi MOSFET Power MOSFET, 150 V, 6.5 mohm, A, Single N-Channel, D2PAK7 1,229在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 800

Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 150 V 121 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 57 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET Power MOSFET, 150 V, 4.1 mohm, 185A, Single N-Channel, D2PAK7 1,441在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 800

Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 150 V 185 A 4.1 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 88.9 nC - 55 C + 175 C 316 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel