MMFTP2319

Name: Diotec Semiconductor MMFTP2319
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-MMFTP2319
Price: 97 JPY
Availability: InStock

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製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

637-MMFTP2319

メーカ番号：

MMFTP2319

メーカ：

Diotec Semiconductor

詳細：

MOSFET MOSFET, SOT-23, -40V, -4.2A, 150C, P

データシート:

MMFTP2319 データシート (PDF)

ECADモデル:

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在庫: 3,733

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	¥69	¥690
	¥48.2	¥4,820
	¥42.2	¥21,100
	¥39.2	¥39,200
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥29	¥87,000
	¥21.6	¥194,400
	¥21	¥504,000
	¥16	¥720,000

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Diotec Semiconductor
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SOT-23-3
トランジスタ極性:	P-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	40 V
Id - 連続ドレイン電流:	4.2 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	80 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3 V
Qg - ゲート電荷:	20 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	750 mW
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	Diotec Semiconductor
構成:	Single
下降時間:	4 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	28 ns
シリーズ:	MMFTN/P
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
標準電源切断遅延時間:	19 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	15 ns

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データシート

MMFTP2319 データシート (PDF)

Models

Full Material Declaration (PDF)

JPHTS:: 854121000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.

MMFTP2319 P-Channel Enhancement Mode FET

Diotec Semiconductor MMFTP2319 P-Channel Enhancement Mode FET offers fast switching times in a SOT-23/TO-236 package. The MMFTP2319 FET features a 40V maximum drain-source voltage, 750mW maximum power dissipation, and a 4.2A maximum drain current in a -50°C to +150°C junction temperature range. The Diotec Semiconductor MMFTP2319 P-Channel Enhancement Mode FET is ideal for signal processing, battery management, drivers, and logic-level converters.